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第三代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體的新機(jī)遇

時(shí)間:2019-07-30

[敏感詞]代半導(dǎo)體取代了笨重的電子管,帶來(lái)了以集成電路為核心的微電子工業(yè)的發(fā)展和整個(gè) IT 產(chǎn)業(yè)的飛躍,廣泛應(yīng)用于信息處理和自動(dòng)控制等領(lǐng)域。

盡管硅擁有很多優(yōu)越的電子特性,但這些特性已經(jīng)快被用到極限,科學(xué)家一直在尋找能替代硅的半導(dǎo)體材料,以制造未來(lái)的電子設(shè)備,隨后化合物半導(dǎo)體橫空出世。

近年來(lái),隨著功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)半導(dǎo)體、汽車電力電子等領(lǐng)域的空前發(fā)展,第三代半導(dǎo)體材料越發(fā)凸顯其重要性與優(yōu)越性。目前發(fā)達(dá)[敏感詞]都將第三代半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件等的發(fā)展列為半導(dǎo)體重要新興技術(shù)領(lǐng)域。


化合物半導(dǎo)體材料優(yōu)勢(shì)顯著
隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下性能依然保持穩(wěn)定,[敏感詞]代和第二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力,于是第三代半導(dǎo)體材料。

第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)。

與[敏感詞]代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)點(diǎn),可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求,從其材料優(yōu)越性來(lái)看,頗具發(fā)展?jié)摿?,相信隨著研究的不斷深入,其應(yīng)用前景將十分廣闊。

SOI 的一個(gè)特殊子集是藍(lán)寶石上硅工藝,在該行業(yè)中通常稱為 Ultra CMOS。目前,Ultra CMOS 是在標(biāo)準(zhǔn) 6 英寸工藝設(shè)備上生產(chǎn)的,8 英寸生產(chǎn)線亦已試制成功。示范成品率可與其它 CMOS 工藝相媲美。

GaAs 生產(chǎn)方式和傳統(tǒng)的硅晶圓生產(chǎn)方式存在較大差異,采用磊晶技術(shù)制造,磊晶圓直徑只有 4-6 英寸,而傳統(tǒng)硅晶圓直徑為 12 英寸,對(duì)技術(shù)和操作精度有較大提升;此外,磊晶圓生產(chǎn)需專門(mén)設(shè)備,這就使砷化鎵技術(shù)成本高于傳統(tǒng)硅基技術(shù)。磊晶目前有兩種,一種是化學(xué)的 MOCVD,一種是物理的 MBE。

GaN 則是在 GaAs 基礎(chǔ)上的再升級(jí),性能更優(yōu)越,適用于微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域。在微電子領(lǐng)域主要為無(wú)線通訊、光通訊、無(wú)線局域 網(wǎng)、汽車電子產(chǎn)品、軍事電子產(chǎn)品等方面;光電子領(lǐng)域?yàn)樯漕l IC,具體體現(xiàn)為 PA、LNA 等通信元件。

有望全面取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體 從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看,[敏感詞]代半導(dǎo)體硅(Si),主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運(yùn)算領(lǐng)域,第二代半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs),主要應(yīng)用在通信領(lǐng)域,兩者都有一定的局限性。

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),以其高溫下的穩(wěn)定性、高效的光電轉(zhuǎn)化能力、更低的能量損耗等[敏感詞]優(yōu)勢(shì),可以被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域,無(wú)論是消費(fèi)電子設(shè)備、照明、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電機(jī)、飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī),還是導(dǎo)彈和衛(wèi)星,都對(duì)這種高性能的半導(dǎo)體有著極大的期待,未來(lái)有望全面取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。

第三代半導(dǎo)體材料已展現(xiàn)出極其重要的戰(zhàn)略性應(yīng)用價(jià)值,有望突破[敏感詞]、二代半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展瓶頸,創(chuàng)新開(kāi)拓時(shí)代需求的新技術(shù)領(lǐng)域,不僅在信息領(lǐng)域,而且進(jìn)入到能源領(lǐng)域發(fā)揮極為重要的作用。
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